特許
J-GLOBAL ID:200903037178511960

半導体装置用基板及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-162821
公開番号(公開出願番号):特開平11-017332
出願日: 1997年06月19日
公開日(公表日): 1999年01月22日
要約:
【要約】【課題】 ビルドアップ法を用いたプリント配線板において、バイアが小径化した場合でも、バイア底部での剥離が生じ難く、従って接続信頼性の高いプリント配線板及びその製造方法を提供する。【解決手段】第一配線層11と、液状樹脂を硬化させて形成される第二絶縁層14と、第二絶縁層上に形成される第二配線層15と、第一配線層と第二配線層を接続するバイア16を有する半導体装置用基板において、バイア用ランド11に平均深さが3μm以上の凹凸が形成されている。
請求項(抜粋):
第一絶縁層上に形成される第一配線層と、第一配線層上に液状樹脂を硬化させて形成される第二絶縁層と、第二絶縁層上に形成される第二配線層と、第二絶縁層を貫通し、前記第一配線層と第二配線層を接続するバイアを有する半導体装置用基板において、前記第一配線層の、第二配線層と接続されるバイア用ランドに、平均深さが3μm以上の凹凸が形成されていることを特徴とする半導体装置用基板。
IPC (2件):
H05K 3/46 ,  H05K 3/24
FI (4件):
H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 E ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/24 A
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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