特許
J-GLOBAL ID：200903037220370352

半導体装置の配線構造およびその製造方法

発明者：
林 喜宏

林 喜宏 について

, 
柴 和利

柴 和利 について

, 
若林 整

若林 整 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-009634
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214507
出願日： 1998年01月21日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 集積回路の層間絶縁膜にビアホールと配線溝を加工制御性よく形成し、かかる開口部に導電体膜を埋め込んで、信頼性の高い多層配線を形成する。【解決手段】 第1の配線6上にSiON膜(酸窒化膜8)とSiO2膜(絶縁膜9)とを成長し、ビアホール12を形成した後、前記SiON膜を反射防止膜として配線溝レジストパターンを露光するとともにビアホール底部に未露光フォトレジストを残す工程と、前記SiON膜をエッチングストップ層として配線溝を形成し、選択研磨法で導電体膜を埋め込むことで上層配線層を形成し、さらにその導電体膜表面を窒化して多層配線を製造する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1の酸窒化膜と少なくとも該第1の酸窒化膜よりも低誘電率の第1の絶縁膜が形成され、前記第1の酸窒化膜を底部する第1の開口部に導電体が埋め込まれている第1の配線層が形成され、さらに該第1の配線層と前記第1の絶縁膜からなる複合面上に第2の酸窒化膜と少なくとも該第2の酸窒化膜よりも低誘電率の第2の絶縁膜が形成され、かかる第2の絶縁膜と第2の酸窒化膜を貫きかつその主なる部分が前記第1の配線層に至っている第2の開口部と、前記第2の絶縁膜を貫き前記第2の酸窒化膜に至る第3の開口部が前記第2の開口部と接続するように形成され、かかる第2の開口部と第3の開口部とに導電体が埋め込まれた第2の配線層が形成されていることを特徴とする多層配線構造。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/3205
FI (2件)：
H01L 21/90 C ,  H01L 21/88 K
引用特許：
審査官引用 (4件)
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