特許

J-GLOBAL ID：200903037244918944

薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び液晶ディスプレイ

発明者： 米田 清 ,  森本 佳宏 ,  鈴木 浩司
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-176489
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027624
出願日： 1995年07月12日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【目的】 OFF時の漏洩電流の少ない薄膜トランジスタを提供すること。【構成】 ガラス基板1上に多結晶シリコン膜2を形成し、この多結晶シリコン膜2の上に、ゲート絶縁膜3を介してゲート電極4を形成し、ゲート電極3の側壁にサイドウォール7を形成し、サイドウォール7をマスクとして、多結晶シリコン膜2に低濃度の不純物を注入して低濃度不純物領域6aを形成し、ゲート電極4及びサイドウォール7をレジスト8で覆い、レジスト8をマスクとして、多結晶シリコン膜2に高濃度の不純物を注入して高濃度不純物領域6bを形成する。こうして、LDD構造のソース/ドレイン領域6を有する薄膜トランジスタを形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の上に形成された半導体膜と、この半導体膜の上に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、このゲート電極の側壁に形成されたサイドウォールと、前記半導体膜における前記サイドウォールの両側に形成されたソース/ドレインとなるLDD(LightlyDoped Drain)構造の不純物領域とを具備したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1345 ,  G02F 1/136 500

FI (5件)：

H01L 29/78 616 A ,  G02F 1/1345 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 M ,  H01L 29/78 622

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-196845   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-232466   出願人：シャープ株式会社
• クロックドインバータ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-053995   出願人：日本電気株式会社
• 垂直駆動回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-080450   出願人：ソニー株式会社