特許

J-GLOBAL ID：200903037278380382

ポリシリコン用研磨材およびその研磨方法

発明者： 西山 雅也 ,  芦沢 寅之助 ,  上方 康雄 ,  上田 俊輔
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-169384
公開番号（公開出願番号）：特開2006-344786
出願日： 2005年06月09日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：

【課題】 半導体ウェハ上にデバイスを形成するためのポリシリコンの研磨工程において、高いCMPによる研磨速度を維持し、ポリシリコンと研磨により露出した窒化珪素、酸化膜との段差を小さく仕上げることが可能なポリシリコン用研磨材を提供する。【解決手段】半導体集積回路製造工程においてポリシリコンを主体とする膜を研磨する為の研磨材で、砥粒として酸化アルミニウム、及び水を含み、pHが10.5〜11.5であることを特徴とするポリシリコン用研磨材。半導体集積回路製造工程においてポリシリコンを主体とする膜を研磨する為の研磨材で、砥粒として酸化アルミニウム、及び水を含み、過酸化水素、過ヨウ素酸塩、過塩素酸塩または過硫酸塩の1つ以上を含有し、pHが3〜5.5であることを特徴とするポリシリコン用研磨材及びこれを用いた研磨方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

半導体集積回路製造工程においてポリシリコンを主体とする膜を研磨する為の研磨材で、砥粒として酸化アルミニウム、及び水を含み、pHが10.5〜11.5であることを特徴とするポリシリコン用研磨材。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00

FI (3件)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H

Fターム (7件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 研磨液組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-159884   出願人：花王株式会社
• 化学機械研磨用水系分散体およびこれを用いた化学機械研磨方法ならびに半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-056093   出願人：JSR株式会社, 株式会社東芝
• 酸化膜用CMPスラリー組成物及びこれを利用した半導体素子の金属配線コンタクトプラグの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-185379   出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター
• スラリー組成物及びそれを用いる化学機械的研磨工程を含む半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-359039   出願人：三星電子株式会社