化学機械研磨用水系分散体およびこれを用いた化学機械研磨方法ならびに半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：小島清路 , 谷口直也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-056093
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266155
出願日： 2003年03月03日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】被研磨面を十分に平坦化することができ、保存安定性が高い化学機械研磨用水系分散体、および異なる材質からなる被研磨面を研磨除去する際の選択性に優れる化学機械研磨方法、ならびに半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本化学機械研磨用水系分散体は、少なくとも水溶性第4級アンモニウム塩、無機酸塩および水系媒体が配合されて得られた水系分散体(I)と、少なくとも水溶性高分子、水溶性第4級アンモニウム塩を除く塩基性有機化合物および水系媒体が配合されて得られた水系分散体(II)と、が混合されてなり、かつ少なくとも一方の水系分散体に砥粒が配合されている。本化学機械研磨方法は、同一条件により研磨した場合に、シリコン酸化膜の研磨速度に対するポリシリコン膜の研磨速度の比が30以上であり、窒化物層の研磨速度に対するポリシリコン膜の研磨速度の比が50以上である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

少なくとも水溶性第4級アンモニウム塩、水溶性第4級アンモニウム塩を除く塩基性有機化合物、無機酸塩、水溶性高分子、砥粒および水系媒体が配合されて得られたことを特徴とする化学機械研磨用水系分散体。

IPC (3件)：

H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14

FI (4件)：

H01L21/304 622D , B24B37/00 H , C09K3/14 550C , C09K3/14 550Z

Fターム (6件)：

3C058AA07 , 3C058CB02 , 3C058CB04 , 3C058DA02 , 3C058DA13 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (8件)

研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-027276 出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド
研磨剤及び半導体基板のポリッシング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-109176 出願人：株式会社東芝, 株式会社トクヤマ
化学機械的研磨スラリー及びその使用方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-557315 出願人：キャボットマイクロエレクトロニクスコーポレイション

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