酸化膜用CMPスラリー組成物及びこれを利用した半導体素子の金属配線コンタクトプラグの形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：荒船博司 , 荒船良男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-185379
公開番号（公開出願番号）：特開2004-064072
出願日： 2003年06月27日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】各層に対し研磨選択比が類似する酸化膜用CMPスラリーを提供する。前記酸化膜用CMPスラリーを利用して安全なプラグを形成する半導体素子の金属配線コンタクトプラグの形成方法を提供する。【解決手段】本発明は、酸化膜用化学的機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing)スラリー及び金属配線コンタクトプラグの形成方法に関し、より詳しくはHXOn(このとき、nは1〜4の整数)の構造の化合物を含む酸化膜用CMPスラリーを利用して多層膜を研磨する場合、層間研磨速度の差を減少させて段差を防止することができるので、安定したランディングプラグポリ(landing plug poly)を形成することができる半導体素子の金属配線コンタクトプラグの形成方法に関する。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

溶媒と溶媒内に分散された研磨剤を含むスラリー組成物において、前記組成物はHXOn(このとき、nは1〜4の整数)構造の化合物を含むことを特徴とする酸化膜用CMPスラリー組成物。

IPC (6件)：

H01L21/304 , C09K3/14 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/8242 , H01L27/108

FI (6件)：

H01L21/304 622D , C09K3/14 550D , C09K3/14 550Z , H01L21/88 K , H01L21/90 C , H01L27/10 681Z

Fターム (45件)：

5F033HH04 , 5F033HH19 , 5F033HH27 , 5F033HH28 , 5F033JJ04 , 5F033KK01 , 5F033LL04 , 5F033NN40 , 5F033PP03 , 5F033PP06 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ15 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ50 , 5F033RR04 , 5F033RR11 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS13 , 5F033SS15 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033VV16 , 5F033WW00 , 5F033WW01 , 5F033WW04 , 5F033XX01 , 5F083AD01 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA53 , 5F083MA03 , 5F083MA18 , 5F083MA20 , 5F083PR03 , 5F083PR07 , 5F083PR38 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (13件)

化学的機械的研磨用スラリー
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-357798 出願人：日本電気株式会社, 東京磁気印刷株式会社
研磨液組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-122600 出願人：花王株式会社
化学機械研磨のためのイオン交換物質
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-391083 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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