特許

J-GLOBAL ID：200903037291032164

半導体メモリ素子およびその製造方法

発明者： 李 正 賢 ,  朴 永 洙 ,  李 ▲元▼ 泰
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-152661
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349709
出願日： 2004年05月24日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】 少ない電流でカルコゲナイド物質層の相変化に必要な熱量を伝達できるため、データの記録動作を低電流で行なうことができる半導体メモリ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 トランジスタおよびデータ貯蔵部の間に配置された発熱部と、前記データ貯蔵部に連結された金属配線とを備え、前記データ貯蔵部は前記発熱部の発熱により相変化してデータを貯蔵するカルコゲナイド物質層を含む半導体メモリ素子およびその製造方法。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

トランジスタおよびデータ貯蔵部を含む半導体メモリ素子において、 前記トランジスタと前記データ貯蔵部の間に配置された発熱部と、 前記データ貯蔵部に連結された金属配線とを備え、 前記データ貯蔵部は、前記発熱部の発熱により相変化してデータを貯蔵するカルコゲナイド物質層を含むことを特徴とする半導体メモリ素子。

IPC (2件)：

H01L27/10 ,  H01L45/00

FI (2件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A

Fターム (12件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR10 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6,294,452号明細書
  

審査官引用 (4件)

• 改善された接合を有する電気的にプログラム可能なメモリ素子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-607287   出願人：オヴォニクスインコーポレイテッド
• 相変化型不揮発性メモリ素子、該相変化型不揮発性メモリ素子を用いたメモリアレーおよび該相変化型不揮発性メモリ素子の情報記録方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-286998   出願人：株式会社リコー
• 相変化性メモリ材料と誘電材料との混合物から成る複合メモリ材料
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-519794   出願人：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド
• 相変化型不揮発性記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-296101   出願人：株式会社東芝