コンタクトスタッドの積層構造及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：合田潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-334516
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244135
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】半導体基板上の活性領域へ低抵抗の熱的に安定なオーミック・コンタクトまたはショットキー・コンタクトを作る、タングステン・スタッドおよびタングステン並設スタッドを、三層金属構造を最初に定めることにより作る。【構成】三層金属構造のコンタクトスタッドを最初に定める独自の方法を使用する。三層金属構造は、オーミック層6,バリア層7,犠牲層8を含む。最初に絶縁体のブランケット層9を堆積し、スタッド金属が露出するまで、研磨し、エッチングし、またはこれらの両方を行う。次に、犠牲層を、エッチング除去し、コンタクト層に、およびオーミック層とバリア層に自己整合したホールを残す。次に、CVDタングステンのブランケット層12を堆積し、余分なタングステンを除くため、基板を研磨またはエッチングし、またはこれらの両方を行う。

請求項（抜粋）：

活性領域を露出させるコンタクトホールが形成された絶縁層を有する半導体基板の前記活性領域へのオーミック・コンタクトまたはショットキー・コンタクトを形成するコンタクトスタッドの製造方法において、少なくともいくつかの前記コンタクトホールに対応するホールのパターンを有するリフトオフ・ステンシルパターンを、前記絶縁体上に形成する工程と、前記リフトオフ・ステンシルパターン上に、オーミック層,バリア層および犠牲層を堆積し、三層金属構造を形成する工程と、前記ステンシル層を除去し、前記少なくともいくつかのコンタクトホール内に前記三層金属構造を残し、コンタクトスタッドを定める工程と、前記三層金属構造上に絶縁体のブランケット層を堆積し、前記コンタクトスタッドが露出するまで前記絶縁体のブランケット層を除去する工程と、エッチングにより前記犠牲層を除去し、コンタクトに、およびオーミック層とバリア層に自己整合したホールを残す工程と、CVDタングステンのブランケット層を堆積する工程と、を含むことを特徴とするコンタクトスタッドの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭63-205951
特開平4-199628
特開平4-271144

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