特許

J-GLOBAL ID：200903037331306564

半導体装置

発明者： 真山 恵次 ,  三浦 昭二 ,  近藤 市治
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-273932
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039029
出願日： 2003年07月14日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

【課題】 半導体基板の一面に形成されたAl(アルミ)電極に対してはんだ付け用の金属電極を形成してなる半導体装置において、はんだ部材と保護膜とが接触しないようにする。【解決手段】 半導体基板1の一面上にAl電極11を形成し、Al電極11の上に保護膜12を形成し、保護膜12に開口部12aを形成した後、開口部12aから臨むAl電極11の表面上にはんだ付け用の金属電極13を形成し、金属電極13にはんだ部材60を接合してなる半導体装置において、保護膜12の開口部12aにおける内周端面12bが、はんだリフロー後のはんだ部材60の形状におけるはんだ接触角θ1の補角θ2よりも小さいテーパ角度θ3を有するテーパ形状となっており、金属電極13は保護膜12よりも薄く、金属電極13の上面は開口部12aの中に位置している。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)の一面上にアルミニウムからなるアルミニウム電極(11)を形成し、前記アルミニウム電極の上に保護膜(12)を形成し、前記アルミニウム電極の一部が前記保護膜上に臨むように前記保護膜に開口部(12a)を形成した後、前記開口部から臨む前記アルミニウム電極の表面上にはんだ付け用の金属電極(13)を形成し、前記金属電極にはんだからなるはんだ部材(60)を接合してなる半導体装置において、 前記保護膜の前記開口部における内周端面(12b)が、はんだリフロー後の前記はんだ部材の形状におけるはんだ接触角(θ1)の補角(θ2)よりも小さいテーパ角度(θ3)を有するテーパ形状となっており、 前記金属電極は前記保護膜よりも薄いものであり、前記金属電極の上面は前記開口部の中に位置していることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L21/60

FI (2件)：

H01L21/92 602K ,  H01L21/92 602G

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-305228   出願人：株式会社デンソー
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-196140   出願人：株式会社デンソー
• 特開昭63-305532号公報
  

審査官引用 (4件)

• 特開平3-185731
  
• 特開平3-185731
  
• バンプ構造、半導体チップ、半導体装置、電子デバイスおよび電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-065821   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平3-185731