特許
J-GLOBAL ID：200903037333462806

エッチングガス

発明者：
毛利 勇

毛利 勇 について

, 
田村 哲也

田村 哲也 について

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大橋 満也

大橋 満也 について


出願人/特許権者：
セントラル硝子株式会社

セントラル硝子株式会社 について


代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-239339
公開番号（公開出願番号）：特開2000-063826
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 2000年02月29日
要約：
【要約】【課題】 LSI、TFTなどに代表される薄膜デバイス製造用途に適したエッチングガスを提供する。【解決手段】 基板の上に堆積した膜の所定の部分を除去するための、ハイポフルオライトからなるガスを含有したエッチングガスで、さらにハイポフルオライトからなるガスと水素または水素含有化合物ガスとを含有し、または、ハイポフルオライトからなるガスと酸素または酸素含有化合物ガスとを含有したエッチングガス。
請求項（抜粋）：
基板の上に堆積した膜の所定の部分を除去するための、ハイポフルオライトからなるガスを含有したエッチングガス。
IPC (3件)：
C09K 13/08 ,  C09K 13/00 ,  H01L 21/3065
FI (3件)：
C09K 13/08 ,  C09K 13/00 ,  H01L 21/302 F
Fターム (13件)：
5F004AA05 ,  5F004AA16 ,  5F004BB13 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DA30 ,  5F004DB03 ,  5F004DB10 ,  5F004EB01
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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