特許

J-GLOBAL ID：200903057776707691

液晶表示装置の製造方法および半導体装置の製造方法

発明者： 竹井 美智子 ,  大堀 達也 ,  張 宏勇 ,  魚地 秀貴
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-139458
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298304
出願日： 1996年05月08日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】 マスク工程を減らした、LDD構造を有する薄膜トランジスタの形成方法を提供することを概括的目的とする。【解決手段】 薄膜トランジスタのゲート電極を陽極酸化し、このようにして形成された陽極酸化膜をマスクとしてイオン注入を行い、また同一基板上にpチャネルトランジスタとnチャネルトランジスタが形成される場合、いずれのトランジスタの領域にも初めに第1の導電型の不純物を、前記陽極酸化膜をマスクとしてイオン注入し、次いで一方のトランジスタの領域をレジストでマスクして第2の導電型の不純物のイオン注入を実行する。

請求項（抜粋）：

陽極酸化可能な金属材料よりなるゲート電極を有する半導体装置の製造方法において、半導体層上に形成されたゲート電極を陽極酸化して、ゲート電極側壁に陽極酸化膜を形成する工程と、前記ゲート電極が担持された前記半導体層中に、前記ゲート電極およびその側壁の陽極酸化膜をマスクとして、第1の導電型の不純物を導入して、前記陽極酸化膜の外側に第1の導電型の領域を形成する工程と、前記陽極酸化膜を除去した後、前記ゲート電極をマスクに、前記半導体層中に前記第1の導電型の不純物をさらに導入する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 613 A ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/316 T ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 W

引用特許：

審査官引用 (4件)

• アクティブマトリクス液晶ディスプレイおよびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-119961   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-186263   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• MOSトランジスタ作製方法およびその構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-356299   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-270561   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所