特許
J-GLOBAL ID：200903071761104322
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-069675
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054649
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 応力の緩和などによる信頼性の高い、かつ製造工数や設備コストの低減が可能で製造コストの安価な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10の主面上には、素子電極11が配置されている電極配置領域を開口させた低弾性率層20が設けられている。そして、低弾性率層20の上に外部電極となるランド32が設けられ、素子電極11の上のパッド30とランド32と両者を接続する金属配線31とを一体化した金属配線パターン33が構成されている。ランド32の一部を開口させたソルダーレジスト膜50が形成されており、その開口内のランド32の上に金属ボール40が設けられている。低弾性率層20で半導体装置の加熱・冷却に伴って発生する熱応力などの応力を吸収し、金属配線31の断線を防止できるように構成されている。
請求項（抜粋）：
半導体素子が配設されている半導体基板と、上記半導体基板の主面上に配列され、上記半導体素子に電気的に接続される素子電極と、上記半導体基板の主面上に形成され絶縁性の弾性材料からなる弾性体層と、少なくとも上記半導体基板上の上記素子電極を露出させるように上記弾性体層を部分的に除去して形成された開口部と、上記素子電極の上から上記弾性体層の上に亘って連続的に形成された金属配線層と、上記金属配線層の一部として上記弾性体層の上に設けられ、外部機器との電気的接続を行なうための外部電極とを備えている半導体装置。
引用特許：
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