特許
J-GLOBAL ID：200903037531116930

結合の補償を含む不揮発性記憶のための読み出し動作

発明者：
リ ヤン

リ ヤン について

, 
チェン ジアン

チェン ジアン について


出願人/特許権者：
サンディスク コーポレイション

サンディスク コーポレイション について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-505382
公開番号（公開出願番号）：特表2008-535144
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2008年08月28日
要約：
不揮発性メモリセルのフローティングゲート(又は他の電荷蓄積要素)上に蓄積される見かけの電荷内のシフトは、隣接フローティングゲート(又は他の隣接電荷蓄積要素)内に蓄積される電荷に基づく電界の結合のために発生する可能性がある。この問題は、異なる時間にプログラムされる隣接メモリセルの集合の間で最も顕著に発生する。この結合を補償するために、所定のメモリセル用の読み出し処理は、隣接メモリセルのプログラムされた状態を考慮することができる。
請求項（抜粋）：
不揮発性記憶からデータを読み出す方法であって、 第1不揮発性記憶要素からデータを読み出すための要求を受け取る工程と、 前記要求に応じて第2不揮発性記憶要素で読み出し動作を実行する工程と、 前記第2不揮発性記憶要素内に記憶可能なグループ化データのサブセットに基づいて、前記第1不揮発性記憶要素を読み出すための基準値を決定する工程と、 前記基準値を用いて、前記要求に応じて前記第1不揮発性記憶要素内に記憶したデータを読み出す工程と、を備えており、 前記第2不揮発性記憶要素は、前記第1不揮発性記憶要素に隣接しており、複数のグループ化データを記憶可能である方法。
IPC (7件)：
G11C 16/02 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/06 ,  G11C 16/04
FI (6件)：
G11C17/00 613 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  G11C17/00 634E ,  G11C17/00 641 ,  G11C17/00 622E
Fターム (33件)：
5B125BA02 ,  5B125BA19 ,  5B125CA14 ,  5B125CA19 ,  5B125DA03 ,  5B125DB02 ,  5B125DB08 ,  5B125DB12 ,  5B125DE08 ,  5B125EA05 ,  5B125EE04 ,  5B125EG17 ,  5B125FA01 ,  5B125FA02 ,  5B125FA06 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP32 ,  5F083EP76 ,  5F083ER27 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA07 ,  5F083LA09 ,  5F083LA10 ,  5F101BA01 ,  5F101BB05 ,  5F101BD02 ,  5F101BD34 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07
引用特許：
審査官引用 (3件)

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