特許
J-GLOBAL ID：200903037572894890
電界放出型電子放出素子の製造方法およびこれを用いた画像形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-011110
公開番号（公開出願番号）：特開平10-208624
出願日： 1997年01月24日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 電界放出型電子放出素子の電子放出部として再現性の良い均一な形状で、かつ先端を鋭利に形成でき、複数化(マルチ化)を容易に形成できることを課題とする。【解決手段】 電界を印加することにより電子を放出する電界放出型電子放出素子の製造方法において、(a)第1基板の表面に少なくとも1つ以上の凹部を形成する工程、(b)前記凹部を含む第1基板上に剥離層を形成する工程、(c)前記凹部を含む剥離層上に素子材料層を形成する工程、(d)第2基板上に配線電極を形成する工程、(e)第1基板と第2基板を対向させ、前記凹部を含む剥離層上の素子材料層を配線電極に接合する工程、(f)前記剥離層と第1基板、或いは前記剥離層と素子材料層の界面で剥離を行い配線電極上に素子材料層を転写する工程、により製造されることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1基板上に設けた少なくとも1つ以上の凹部上に形成した素子材料層を、第2基板に設けた配線電極に接合した後、前記第1基板より剥離し、前記配線電極上に転写する工程を有することを特徴とする電界放出型電子放出素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 9/02 E
, H01J 31/12 C
