特許
J-GLOBAL ID：200903015113481873

電界放射型冷陰極の製造方法、およびその製造方法により作製された電界放射型冷陰極素子を用いたCDT装置

発明者：
木下 啓藏

木下 啓藏 について

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樋口 行平

樋口 行平 について

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鈴木 克美

鈴木 克美 について

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吉原 拓也

吉原 拓也 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-011395
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203422
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 適切なエミッター先端とゲート電極の位置にすることが可能な電界放射型冷陰極の製造方法を提供する。【構成】 (a)単結晶基板表面のエミッターを形成する領域を所定径のマスクで被覆する。(b)該被覆されたマスク以外の部分を該マスクの径から予測される最適な厚みまで導電性を有する層に変質させて導電性層を形成する。(c)被覆したマスクを除去し、該マスクを除去した部分に面方位に依存したエッチングを選択的に行ってV溝あるいは逆錘形のピットを形成する。(d)ピットが形成された面の全面に、所定の厚みの絶縁層を形成し、該絶縁層上にエミッター材料を成膜する。(e)成膜したエミッター材料の面を絶縁体からなる別の支持基板に接合する。(f)単結晶基板および絶縁層の一部の層を順次除去してエミッター部を形成する。
請求項（抜粋）：
単結晶基板表面のエミッターを形成する領域を所定径のマスクで被覆し、該被覆されたマスク以外の部分を該マスクの大きさに応じて求められる厚さまで導電性を有する層に変質させて導電性層を形成する第1の工程と、前記第1の工程で被覆したマスクを除去し、該マスクを除去した部分に面方位に依存したエッチングを選択的に行ってV溝あるいは逆錘形のピットを形成する第2の工程と、前記第2の工程でピットが形成された面の全面に、所定の厚みの絶縁層を形成する第3の工程と、前記第3の工程で形成された絶縁層上に、エミッター材料を成膜する第4の工程と、前記第4の工程で成膜したエミッター材料の面を絶縁体からなる別の支持基板に接合し、単結晶基板および前記第3の工程で形成された絶縁層の一部の層を順次除去してエミッター部を形成する第5の工程とを含むことを特徴とする電界放射型冷陰極の製造方法。
IPC (2件)：
H01J 9/02 ,  H01J 29/04
引用特許：
審査官引用 (7件)
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