プラズマ処理装置

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：有我軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-211649
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078187
出願日： 1994年09月06日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】被プラズマ処理物に対して広範囲に渡って均一にプラズマを発生させることができ、被プラズマ処理物を広範囲に渡って均一にプラズマ処理することができる。【構成】高周波電源4と、該高周波電源4に接続された高周波印加電極1とを有し、該高周波印加電極1に高周波を印加してプラズマを発生させることにより、前記高周波印加電極1と対向するように配置された被プラズマ処理物7をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、前記高周波印加電極1を、所定の間隔でマトリックス状に配置してなる。

請求項（抜粋）：

高周波電源(4)と、該高周波電源(4)に接続された高周波印加電極(1)とを有し、該高周波印加電極(1)に高周波を印加してプラズマを発生させることにより、前記高周波印加電極(1)と対向するように配置された被プラズマ処理物(7)をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、前記高周波印加電極(1)を、所定の間隔でマトリックス状に配置してなることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H05H 1/46 , C23F 4/00 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 341

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭62-273731
半導体加工装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-186837 出願人：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社
特開昭58-110674

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