特許

J-GLOBAL ID：200903037601729624

高濃度不純物ダイヤモンド薄膜及びその製造方法

発明者： 李 成奇 ,  山崎 聡 ,  大串 秀世 ,  鹿田 真一
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-008118
公開番号（公開出願番号）：特開2007-194231
出願日： 2006年01月17日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：

【課題】 不純物濃度傾斜層を用いた高濃度不純物ダイヤモンド薄膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ダイヤモンド単結晶基板上に、不純物濃度が異なる不純物ダイヤモンド薄膜を複数層設けることにより、ダイヤモンド単結晶基板側から、不純物が順次高くなった傾斜層を作成し、最外層が最高濃度不純物を含むダイヤモンド薄膜である不純物傾斜型ダイヤモンド薄膜及びその製造方法。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド単結晶基板上に、不純物濃度が異なる不純物ダイヤモンド薄膜を複数層設けることにより、ダイヤモンド単結晶基板側から、不純物が順次高くなった傾斜層を作成し、最外層が最高濃度不純物を含むダイヤモンド薄膜である不純物傾斜型ダイヤモンド薄膜。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/16 ,  C23C 16/27

FI (3件)：

H01L21/205 ,  H01L29/16 ,  C23C16/27

Fターム (18件)：

4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030BB12 ,  4K030CA01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA11 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045CA01 ,  5F045CA10

引用特許：

審査官引用 (6件)

• ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-213078   出願人：株式会社神戸製鋼所
• 特開平3-120865
  
• リンドープダイヤモンドの合成法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-252376   出願人：科学技術庁無機材質研究所長
• 特開平4-317498
  
• 特開平4-022172
  
• ダイヤモンド膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-123920   出願人：信越化学工業株式会社