レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの製造方法、及び半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：廣田浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-089461
公開番号（公開出願番号）：特開2006-276865
出願日： 2006年03月28日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】レジストパターンのパターニング時に既存の露光装置におけるArFエキシマレーザー光等の光源をそのまま使用可能であり量産性に優れ、レジストパターンの材料や大きさに対する依存性がなく、レジスト抜けパターンを前記光源の露光限界を超えて微細にかつ均一に、表面のラフネスを低減した状態で、安定に製造可能なレジストパターンの製造方法、半導体装置の製造方法等の提供。【解決手段】本発明のレジストパターンの製造方法は、レジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように、樹脂と、架橋剤と、含窒素化合物とを含有するレジストパターン厚肉化材料を塗布することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

レジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように、樹脂と、架橋剤と、含窒素化合物とを含有するレジストパターン厚肉化材料を塗布することを特徴とするレジストパターンの製造方法。

IPC (9件)：

G03F 7/40 , H01L 21/027 , H01L 21/768 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 27/10 , G11B 5/31

FI (7件)：

G03F7/40 511 , H01L21/30 570 , H01L21/90 A , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L27/10 481 , G11B5/31 F

Fターム (77件)：

2H096AA25 , 2H096HA05 , 2H096HA23 , 2H096JA04 , 5D033BA35 , 5D033DA07 , 5D033DA31 , 5F033HH04 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH27 , 5F033HH28 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM05 , 5F033MM07 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033MM15 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN39 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ01 , 5F033QQ09 , 5F033QQ27 , 5F033QQ29 , 5F033QQ41 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ76 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR14 , 5F033SS25 , 5F033SS27 , 5F033TT02 , 5F033VV06 , 5F033VV10 , 5F033VV16 , 5F033XX03 , 5F033XX10 , 5F046AA28 , 5F046CA04 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA53 , 5F083JA56 , 5F083PR01 , 5F083PR12 , 5F083PR29 , 5F083PR36 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F101BA05 , 5F101BA23 , 5F101BA29 , 5F101BA35 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BD14 , 5F101BD21 , 5F101BH03 , 5F101BH09 , 5F101BH19 , 5F101BH21

引用特許：

審査官引用 (3件)

微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-080940 出願人：三菱電機株式会社
微細パターン形成材料組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-246686 出願人：信越化学工業株式会社
フレームめっき方法および薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-143017 出願人：ティーディーケイ株式会社

前のページに戻る