特許
J-GLOBAL ID：200903037638120867

半導体装置の製造方法

発明者：
富盛 浩昭

富盛 浩昭 について

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青木 秀充

青木 秀充 について

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岩本 敏幸

岩本 敏幸 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について

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日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-163017
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363502
出願日： 2003年06月06日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：
【課題】シリコン下地材料に損傷を与えることなくhigh-k膜を所望の形状にエッチングする技術を提供する。【解決手段】シリコン基板50上に熱酸化法によりシリコン酸化膜52を形成し、その上にHfSiOxからなる高誘電率絶縁膜54を形成する。その後、レジスト層58をマスクとして、多結晶シリコン層56および高誘電率絶縁膜54をドライエッチングにより段階的に選択的に除去し、つづいて、多結晶シリコン層56をマスクとして、高誘電率絶縁膜54の残りとシリコン酸化膜52をウェットエッチングにより選択的に除去する。このとき、エッチング液として、リン酸および硫酸の混合液を用いる。エッチング液の温度は、好ましくは200°C以下、より好ましくは180°C以下とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコンを含む下地材上に、Hf、La、ZrおよびAlからなる群から選択される一または二以上の金属元素、シリコンおよび酸素を主要元素として含む金属シリケート膜を形成する工程と、 前記金属シリケート膜を除去して前記下地材を露出させる工程とを含み、 前記金属シリケート膜を除去するに際し、酸化性酸またはその塩を含む薬液を用いて前記金属シリケート膜を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L21/308 ,  H01L29/78
FI (2件)：
H01L21/308 E ,  H01L29/78 301G
Fターム (31件)：
5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD13 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BE14 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG28 ,  5F140BG32 ,  5F140BG34 ,  5F140BG37 ,  5F140BG38 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK08 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CF04 ,  5F140CF07
引用特許：
審査官引用 (4件)
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