薄膜製膜装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-312559
公開番号（公開出願番号）：特開2004-143568
出願日： 2002年10月28日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】電極の放電面の汚れを抑えた薄膜製膜装置を提供する。【解決手段】第1電極と第2電極とを対向させて配置した放電空間と、前記第1電極及び第2電極間に高周波電圧を印加する電圧印加手段と、前記放電空間に反応性ガスおよび放電ガスを導入するガス導入手段と、を備え、大気圧又は大気圧近傍の圧力下で前記電圧印加手段から電圧を印加することにより、前記放電空間に導入された前記反応性ガスを活性化させて前記第2電極上に配置された基材に製膜を施す薄膜製膜装置であって、前記放電ガスが、50〜100体積%の窒素ガスを含有し、前記第1の電極の放電面が前記反応性ガスに直接接触しないように構成されていることを特徴とする薄膜製膜装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電極と第2電極とを対向させて配置した放電空間と、前記第1電極及び第2電極間に高周波電圧を印加する電圧印加手段と、前記放電空間に反応性ガスおよび放電ガスを導入するガス導入手段と、を備え、大気圧又は大気圧近傍の圧力下で前記電圧印加手段から電圧を印加することにより、前記放電空間に導入された前記反応性ガスを活性化させて前記第2電極上に配置された基材に製膜を施す薄膜製膜装置であって、前記放電ガスが、50〜100体積%の窒素ガスを含有し、前記第1の電極の放電面が前記反応性ガスに直接接触しないように構成されていることを特徴とする薄膜製膜装置。

IPC (6件)：

C23C16/455 , B01J19/08 , C08G83/00 , C08J7/06 , H01L21/205 , H05H1/24

FI (6件)：

C23C16/455 , B01J19/08 H , C08G83/00 , C08J7/06 Z , H01L21/205 , H05H1/24

Fターム (69件)：

4F006AA02 , 4F006AA11 , 4F006AA31 , 4F006AB63 , 4F006AB64 , 4F006AB67 , 4F006AB73 , 4F006BA02 , 4F006BA05 , 4F006BA06 , 4F006BA08 , 4F006BA11 , 4F006BA15 , 4F006CA08 , 4F006DA01 , 4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075CA25 , 4G075CA47 , 4G075CA62 , 4G075DA02 , 4G075DA18 , 4G075EB01 , 4G075EC21 , 4J031BA01 , 4J031BA05 , 4J031BA06 , 4J031BA11 , 4J031BA17 , 4J031BB01 , 4J031BB02 , 4J031BB03 , 4J031BB05 , 4J031BC02 , 4J031BC05 , 4J031BC07 , 4J031BC20 , 4J031BD23 , 4J031BD24 , 4J031BD25 , 4J031BD26 , 4J031BD27 , 4J031BD28 , 4J031CE02 , 4J031CE06 , 4K030EA06 , 4K030FA03 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA11 , 4K030JA17 , 4K030JA18 , 4K030LA16 , 4K030LA18 , 5F045AA08 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045BB08 , 5F045DP03 , 5F045EB05 , 5F045EF01 , 5F045EF08 , 5F045EF17 , 5F045EH14 , 5F045EH19

引用特許：

審査官引用 (8件)

(Ba,Sr)TiO3薄膜の製造方法およびそれを用いた薄膜コンデンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-142535 出願人：松下電器産業株式会社
プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-332571 出願人：日本電気株式会社
プラズマ処理装置及びそのメンテナンス方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-293002 出願人：株式会社日立製作所

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