特許

J-GLOBAL ID：200903037649890176

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 井元 康雅
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-213580
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044566
出願日： 1999年07月28日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 半導体レーザと光変調器とを集積した半導体レーザにおいて、光変調器の高速変調のために、コンタクト層に起因する素子容量を低減すること。【解決手段】 活性層を有する光導波路ストライプ106を埋め込んだInP層等の埋め込み層107に電流狭窄用の高抵抗領域110が形成され、光導波路ストライプ106上に形成されるコンタクト層108の幅を狭くすることにより、プロトン注入により高抵抗化することが困難なコンタクト層に起因する素子容量を低減するように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された活性層を有する光導波路ストライプと、前記光導波路ストライプを埋め込む埋め込み層とを有しており、前記光導波路ストライプがレーザ部と変調器部とを構成する変調器集積半導体レーザにおいて、前記埋め込み層上に形成されたコンタクト層を介してイオン注入された高抵抗領域が前記光導波路ストライプの両脇の埋め込み層に電流狭窄用として形成されているとともに、前記コンタクト層が前記光導波路ストライプに沿ったストライプ形状を有することを特徴とする変調器集積半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 5/227 ,  G02F 1/025 ,  H01S 5/50

FI (3件)：

H01S 3/18 665 ,  G02F 1/025 ,  H01S 3/18 694

Fターム (20件)：

2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA04 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07 ,  2H079EA08 ,  2H079EB04 ,  2H079HA04 ,  2H079HA14 ,  2H079KA18 ,  5F073AA22 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AB21 ,  5F073CA12 ,  5F073DA05 ,  5F073DA14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-337162   出願人：日本電気株式会社
• 半導体レーザ素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-248147   出願人：三菱電機株式会社
• 光電素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-351095   出願人：フランス・テレコム・エタブリスマン・オウトノム・デ・ドロワ・パブリック
• 特開平1-231389