特許
J-GLOBAL ID:200903037676224480

有機電界発光表示装置およびパターニング方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-094273
公開番号(公開出願番号):特開2008-276211
出願日: 2008年03月31日
公開日(公表日): 2008年11月13日
要約:
【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ON/OFF比を示すアモルファス酸化物半導体を用いたTFTを備えた有機EL表示装置を提供することにある。【解決手段】少なくとも駆動TFT、および該駆動TFTと同一基板上に有機EL素子よりなる画素がパターニング形成された有機EL表示装置であり、前記駆動TFTは、活性層とソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層を有する駆動TFTであり、且つ前記画素がレーザー転写法によりパターニング形成されたものであることを特徴とする有機EL表示装置。及び、該画素を高精細に作製するレーザー転写法によるパターニング法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
少なくとも駆動TFT、および該駆動TFTと同一基板上に有機電界発光素子よりなる画素がパターニング形成された有機電界発光表示装置であり、前記駆動TFTは、少なくとも基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層を有する駆動TFTであり、且つ前記画素がレーザー転写法によりパターニング形成されたものであることを特徴とする有機電界発光表示装置。
IPC (6件):
G09F 9/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/32 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/10 ,  H01L 21/336
FI (8件):
G09F9/30 338 ,  H01L29/78 618B ,  G09F9/30 365Z ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 616V ,  H05B33/14 A ,  H05B33/10 ,  H01L29/78 612D
Fターム (78件):
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC35 ,  3K107EE03 ,  3K107FF00 ,  3K107GG00 ,  3K107GG09 ,  3K107GG11 ,  3K107HH05 ,  5C094AA05 ,  5C094AA15 ,  5C094AA21 ,  5C094AA31 ,  5C094AA42 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094FB14 ,  5C094FB18 ,  5C094GB10 ,  5C094JA20 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ30
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (14件)
  • 発光装置及び表示装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2005-325367   出願人:キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
  • 特開昭61-005578
  • 特開昭61-005578
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