3-5族化合物半導体用電極の製造方法と3-5族化合物半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：久保山隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-168459
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016852
出願日： 1997年06月25日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】3-5族化合物半導体に用いられる接触抵抗の小さな電極の製造方法、特にC軸成長した良好な結晶品質の3-5族化合物半導体に用いられる接触抵抗の小さな電極の製造方法および該製造方法により得られた電極を用いた3-5族化合物半導体素子を提供する。【解決手段】一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体表面に電極を製造する方法において、該半導体表面に湿式エッチング法によりエッチピットからなる凹凸を形成した後に電極6を形成する工程を有する3-5族化合物半導体用電極の製造方法。

請求項（抜粋）：

一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体表面に電極を製造する方法において、該半導体表面に湿式エッチング法によりエッチピットからなる凹凸を形成した後に電極を形成する工程を有することを特徴とする3-5族化合物半導体用電極の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/205 , H01L 21/306 , H01L 31/10 , H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (8件)：

H01L 21/28 301 G , H01L 21/205 , H01L 33/00 E , H01L 33/00 C , H01S 3/18 , H01L 21/306 F , H01L 21/306 B , H01L 31/10 H

引用特許：

審査官引用 (6件)

3-5族化合物半導体用電極の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-150311 出願人：住友化学工業株式会社
3-5族化合物半導体用電極材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-073442 出願人：住友化学工業株式会社
特開昭62-286253

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