特許
J-GLOBAL ID：200903037714949990
誘電ギャップ充填用のマルチステップ堆積・エッチング・堆積(DEP-ETCH-DEP)高密度プラズマ化学気相堆積プロセス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 山田 行一
, 池田 成人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-317207
公開番号（公開出願番号）：特開2008-182199
出願日： 2007年12月07日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：
【課題】高密度プラズマを使用して誘電材料を基板ギャップに形成するための方法を提供する。【解決手段】該方法は、該高密度プラズマによって該誘電材料の第1の部分を該ギャップに堆積するステップを含んでもよい。該堆積は、該ギャップへの該誘電材料の該堆積を少なくとも部分的にブロックする突出構造を形成してもよい。誘電材料の該第1の部分は、NH3およびNF3を含む混合物からの反応種を含むエッチャントに暴露される。該エッチャントは該突出構造によって固体反応生成物を形成し、該固体反応生成物は該基板から除去されてもよい。該誘電材料の最終部分が該高密度プラズマによって該ギャップに堆積されてもよい。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
高密度プラズマを使用して誘電材料を基板ギャップに形成するための方法であって、
前記高密度プラズマによって前記誘電材料の第1の部分を前記ギャップに堆積するステップと、
誘電材料の前記第1の部分を、NH3およびNF3を含む混合物からの反応種を備えるエッチャントに暴露するステップと、
前記高密度プラズマによって前記誘電材料の最終部分を前記ギャップに堆積するステップと、
を備える方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/316 X
, H01L21/31 C
5F045AA08
, 5F045AB32
, 5F045AB33
, 5F045AB34
, 5F045AB35
, 5F045AB36
, 5F045AD09
, 5F045EE13
, 5F045EH11
, 5F045EH18
, 5F045HA13
, 5F058BC02
, 5F058BC08
, 5F058BC11
, 5F058BF07
, 5F058BF25
, 5F058BF37
, 5F058BH12
, 5F058BJ06
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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