浅いトレンチ分離のための自己平坦化絶縁層を形成する方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-551427
公開番号（公開出願番号）：特表2002-517089
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2002年06月11日
要約：

【要約】トレンチのある基板(224)にトレンチ酸化物充填層(300)を堆積する方法は、O3/TEOSなどの絶縁材料の表面感度を利用している。このような材料は、堆積された層(300)の表面プロフィルがほぼ自己平坦化されるように、トレンチのある基板(224)に、異なるレベルで異なった組成構造表面に異なる堆積量を有している。シリコントレンチ(228)に絶縁材料を堆積することにより、高品質充填層を生成し、そして堆積に先立って、トレンチ(228)を洗浄することにより、品質を増大することが可能である。堆積後、酸化アニーリングが行われ、トレンチ表面に熱酸化物(308)を増大し、そして絶縁材料の密度を高める。化学機械研磨が、LPCVD窒化物、あるいはCVD反射防止コーティングで形成されることが可能な基板(224)のエッチングストップ層(226)上の余分な酸化物材料を除去するのに使用されることが可能である。

請求項（抜粋）：

上方部分間に形成され、そしてトレンチボトムとトレンチ壁とを有するシリコントレンチを含むシリコン基板に絶縁層を形成する方法であって、前記基板が、基板処理チャンバで堆積され、前記方法が、前記基板上に、異なるレベルで異なった組成構成表面に前記絶縁層の堆積量依存関係を設ける先駆物質を使用し、前記異なるレベルで異なった組成構成表面が、前記トレンチボトムと前記上方部分の材料とを備え、前記方法が、前記先駆物質、好ましくは、TEOSを前記基板処理チャンバに導入する工程と、前記基板の上に絶縁層を堆積するべく前記先駆物質と反応するために、前記基板にオゾンを流す工程と、前記絶縁層がほぼプレーナ絶縁表面を創り出すまで、前記異なった組成構造表面の前記絶縁層の堆積量を調節するために、前記オゾンと前記先駆物質との間のオゾン/先駆物質の比を調節する工程とを含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/76 , H01L 21/31 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/31 B , H01L 21/316 X , H01L 21/76

Fターム (62件)：

5F032AA34 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032BA02 , 5F032DA02 , 5F032DA03 , 5F032DA04 , 5F032DA28 , 5F032DA33 , 5F032DA74 , 5F032DA78 , 5F045AA03 , 5F045AA20 , 5F045AB06 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD12 , 5F045AE25 , 5F045AE29 , 5F045BB02 , 5F045BB08 , 5F045DC55 , 5F045DP03 , 5F045EE03 , 5F045EE05 , 5F045EF05 , 5F045EH14 , 5F045EK09 , 5F045EK10 , 5F045EM10 , 5F045EN04 , 5F045GB05 , 5F045GB06 , 5F045GB08 , 5F045GB15 , 5F045GH10 , 5F045HA12 , 5F045HA14 , 5F045HA16 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BD18 , 5F058BF23 , 5F058BF25 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF52 , 5F058BH03 , 5F058BH11 , 5F058BH20 , 5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (18件)

半導体素子のフィールド酸化膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-317891 出願人：現代電子産業株式会社
特開平3-198339
特開昭59-193044

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引用文献：

審査官引用 (1件)

第7章第1節“3.CVD酸化膜の形成方法と技術”

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