特許
J-GLOBAL ID：200903037732922055
窒化物半導体素子及び窒化物半導体の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-304259
公開番号（公開出願番号）：特開平10-145002
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【目的】 主として窒化物半導体よりなるレーザ素子の閾値を低下させて室温で長時間連続発振させることにより、信頼性が高く、効率に優れた窒化物半導体素子を実現する。【構成】 n型窒化物半導体層を成長させた後、そのn型窒化物半導体層の表面に微細な凹凸を設けるか、成長後の窒化物半導体層の最表面に微細な凹凸が形成されるようにn型窒化物半導体層を成長させ、その後その凹凸が設けられたn型窒化物半導体層に接して、量子構造を有し、かつインジウムを含む窒化物半導体よりなる活性層を成長させることにより、レーザ素子の閾値が低下して、長時間連続発振可能となる。
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に、量子構造を有する活性層が形成されてなる窒化物半導体素子において、前記活性層は表面に微細な凹凸が設けられたn型窒化物半導体層に接して形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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