シリコンウエハ表面の窒化物評価方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木下茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-228371
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043382
出願日： 2000年07月28日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】水素等の還元性ガス雰囲気中、高温下で、シリコンウエハをアニール処理した後、降温しながら、窒素ガス雰囲気に置換または大気中に曝露する際に該シリコンウエハ表面に生成した微量の窒化物の存在を簡易かつ正確に評価し、また、その面内分布を容易かつ明瞭に把握することができる方法を提供する。【解決手段】前記シリコンウエハ表面にシリコン酸化薄膜を形成し、該薄膜の酸化膜耐圧特性を測定することにより、前記シリコンウエハ表面における窒化物の存在を評価する方法を用いる。

請求項（抜粋）：

還元性ガス雰囲気中、高温下で、シリコンウエハをアニール処理した後、降温しながら、窒素ガス雰囲気に置換または大気中に曝露する際に該シリコンウエハ表面に生成した窒化物の存在を評価する方法において、前記シリコンウエハ表面にシリコン酸化薄膜を形成し、該薄膜の酸化膜耐圧特性を測定することにより、前記シリコンウエハ表面における窒化物の存在を評価することを特徴とするシリコンウエハ表面の窒化物評価方法。

IPC (7件)：

H01L 21/66 , G01N 27/00 , G01N 27/92 , G01N 33/00 , H01L 21/324 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (7件)：

H01L 21/66 L , G01N 27/00 Z , G01N 27/92 E , G01N 33/00 A , H01L 21/324 T , H01L 27/04 T , H01L 27/04 C

Fターム (23件)：

2G060AA08 , 2G060AD01 , 2G060AE40 , 2G060AF10 , 2G060EA07 , 2G060EB08 , 2G060GA01 , 2G060HC07 , 2G060HC15 , 2G060HE05 , 4M106AA01 , 4M106AA12 , 4M106BA14 , 4M106CA14 , 4M106CA57 , 4M106CA70 , 5F038AC15 , 5F038AC16 , 5F038AC18 , 5F038EZ10 , 5F038EZ15 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (4件)

重金属モニタ用のウエーハとこのウエーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-193507 出願人：日本電気株式会社
特開平3-283442
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-255479 出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝

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