特許
J-GLOBAL ID：200903056520204335

半導体基板およびその作製方法および発光素子

発明者：
岩田 浩和

岩田 浩和 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-032694
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217506
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：
【要約】【課題】 結晶欠陥の少ない高品質かつ大面積のIII族窒化物の半導体基板およびその作製方法および発光素子を提供する。【解決手段】 単体、あるいは積層構造を有する第一の基板1000上に、少なくともその上面が、結晶方位がそろった単結晶である複数の柱状構造体あるいは板状構造体1200を分散して形成する第1の工程と、個々の柱状構造体あるいは板状構造体1200の上部で連結された少なくとも1層のIII族窒化物半導体層1040を形成する第2の工程と、柱状構造体あるいは板状構造体1200が分散して成る領域を分離領域として、III族窒化物半導体層1040を第一の基板1000から分離し、分離されたIII族窒化物半導体層1040をIII族窒化物の半導体基板として得る第3の工程とを有している。
請求項（抜粋）：
単体、あるいは積層構造を有する第一の基板上に、少なくともその上面が、結晶方位がそろった単結晶である複数の柱状構造体あるいは板状構造体を分散して形成する工程と、個々の柱状構造体あるいは板状構造体の上部で連結された少なくとも1層のIII族窒化物半導体層を形成する工程と、柱状構造体あるいは板状構造体が分散してなる領域を分離領域として、III族窒化物半導体層を第一の基板から分離して半導体基板とする工程とを有していることを特徴とする半導体基板の作製方法。
IPC (2件)：
H01S 5/323 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 5/323 ,  H01L 33/00 C
Fターム (19件)：
5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA22 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件)
  • PENDEO-EPITAXY-A NEW APPROACH FOR LATERAL GROWTH OF GALLIUM NITRIDE STRUCTURES
審査官引用 (1件)
  • PENDEO-EPITAXY-A NEW APPROACH FOR LATERAL GROWTH OF GALLIUM NITRIDE STRUCTURES

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