特許
J-GLOBAL ID：200903037781587474
炭素系薄膜用成膜装置,成膜装置,及び成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-320205
公開番号（公開出願番号）：特開2005-082887
出願日： 2003年09月11日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：
【課題】 炭素系薄膜の膜質及び構造の更なる最適化を可能にする成膜技術を提供する。【解決手段】 本発明による成膜装置は,ワーク(W)を収容する真空容器(1)と,ワーク(W)の表面に形成される炭素系薄膜の原料を供給する原料供給機構(4,7,8)と,真空容器(1)に収容され,ワーク(W)を保持する電極(6)と,真空容器(1)内にプラズマを発生するために使用されるプラズマ発生用電圧を電極(6)に印加するプラズマ発生用電源(11)とを備えている。電極(6)に印加されるプラズマ発生用電圧は,RF(Radio Frequency)帯の周波数の交流電圧が所定の時間継続されるRF交流パルス(22)と,正電圧を有する正電圧直流パルス(21)と,負電圧を有する負電圧直流パルス(23)とを含んで構成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ワークを収容する真空容器と,
前記ワークの表面に形成される炭素系薄膜の原料を供給する原料供給機構と,
前記真空容器に収容され,前記ワークを保持する電極と,
前記真空容器内にプラズマを発生するために使用されるプラズマ発生用電圧を前記電極に印加するプラズマ発生用電源
とを備え,
前記プラズマ発生用電圧は,RF(Radio Frequency)帯の周波数の交流電圧が所定の時間継続されるRF交流パルスと,正電圧を有する正電圧直流パルスと,負電圧を有する負電圧直流パルスとを含んで構成されている
炭素系薄膜用成膜装置。
IPC (4件)：
C23C14/40
, C23C14/06
, C23C14/34
, H05H1/46
C23C14/40
, C23C14/06 F
, C23C14/34 J
, H05H1/46 M
4K029BA34
, 4K029CA05
, 4K029DC28
, 4K029DC35
