特許
J-GLOBAL ID：200903037948442627

パワー変換モジュールデバイスおよびそれを用いた電源装置

発明者：
中嶋 浩二

中嶋 浩二 について

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辻本 悦夫

辻本 悦夫 について

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三好 敬之

三好 敬之 について

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丸井 富夫

丸井 富夫 について

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宮内 美智博

宮内 美智博 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-306624
公開番号（公開出願番号）：特開2005-080382
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】設計効率を向上できる小形、低発熱、低損失、低ノイズのパワー変換モジュールデバイスとそれを搭載した電源装置を提供することを目的としている。【解決手段】高放熱基板16上に薄形トランス11とパワー素子14、15を面接触するように実装し、制御回路部は実装しないことを特徴としたものであり、配線インピーダンスが小さくなり、損失を少なく出来ることに加えてFETの電圧波形なども改善されるので低ノイズ化が達成できる。また、高放熱基板16に伝熱できるので、トランス11、パワー素子14、15の発熱が低減できるとともにトランスサイズも小形化できる。さらに複雑な制御回路は実装していないのでこのブロックの設計が簡単になる。この結果、開発効率を大幅に向上できる小形、低発熱、低損失、低ノイズのパワー変換モジュールデバイスを提供できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
高放熱基板上に薄形トランスと1次または2次の少なくともどちらか一方のパワー素子を面接触するように実装し、前記高放熱基板に設けられた外部接続端子を介して別基板上に設けられた制御回路部と接続されることを特徴としたパワー変換モジュールデバイス。
IPC (1件)：
H02M3/28
FI (2件)：
H02M3/28 Y ,  H02M3/28 Z
Fターム (17件)：
5H730AA01 ,  5H730AA10 ,  5H730AA14 ,  5H730AA15 ,  5H730AS01 ,  5H730BB23 ,  5H730BB62 ,  5H730DD04 ,  5H730DD12 ,  5H730DD22 ,  5H730EE01 ,  5H730EE24 ,  5H730ZZ01 ,  5H730ZZ04 ,  5H730ZZ07 ,  5H730ZZ12 ,  5H730ZZ16
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (7件)
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