半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-178390
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019463
出願日： 2003年06月23日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】リーク電流などが減少する薄膜構造部分をもつ半導体装置を提供すること。【解決手段】シリコン基板11上に形成したシリコン薄膜12と、このシリコン薄膜12上に形成した高誘電体絶縁膜13とを具備し、シリコン薄膜12を構成する組成元素および高誘電体絶縁膜13を構成する組成元素の少なくとも1つが複数の同位体を有し、かつ、自然同位体での存在度が一番大きい少なくとも1つの同位体の存在度が、自然同位体における存在度よりも大きい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成した半導体薄膜と、この半導体薄膜上に形成した高誘電体薄膜とを具備し、前記半導体薄膜を構成する組成元素および前記高誘電体薄膜を構成する組成元素の少なくとも1つが複数の同位体を有し、かつ、自然同位体での存在度が一番大きい少なくとも1つの同位体の存在度が、自然同位体における存在度よりも大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L29/78 , H01L21/205 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (7件)：

H01L29/78 301G , H01L21/205 , H01L21/316 X , H01L29/78 301H , H01L29/78 618A , H01L29/78 617T , H01L29/78 617V

Fターム (65件)：

5F045AA03 , 5F045AB02 , 5F045AC02 , 5F045AC16 , 5F045AF03 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F058BA01 , 5F058BC03 , 5F058BF12 , 5F058BJ04 , 5F110AA06 , 5F110AA23 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE32 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110NN62 , 5F110QQ19 , 5F140AA24 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BC11 , 5F140BC12 , 5F140BC19 , 5F140BD11 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE20 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BG03 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG30 , 5F140BG38 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BJ05 , 5F140BK13 , 5F140BK25 , 5F140BK29 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CE06 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (5件)

スパッタターゲット、ゲート絶縁膜および電子部品
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-195941 出願人：株式会社東芝
MIS型電界効果トランジスタ及びその製造方法及び半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-100401 出願人：株式会社東芝
単結晶シリコンの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-273890 出願人：有限会社伊藤アソシエーツ

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