特許

J-GLOBAL ID：200903067266090261

高純度同位体シリコン結晶膜の製造方法

発明者： 鈴木 裕 ,  荒木 弘 ,  野田 哲二
出願人/特許権者： 科学技術庁金属材料技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-069557
公開番号（公開出願番号）：特開2000-345342
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：

【要約】【課題】 28Si、29Siおよび、30Siの組成を制御した同位体シリコンの高純度で、良好な結晶性の結晶膜の提供を可能とする。【解決手段】 シリコン同位体比を変化させたフッ化シリコンを原料ガスとしてプラズマCVDにより28Si、29Si、および30Siのいずれかのシリコン同位体が自然同位体比と異なる組成の同位体シリコン結晶膜を製造する方法であって、プラズマCVD反応には前記フッ化シリコンガスと希ガスおよび水素ガスを、フッ化シリコンガス/希ガス:0.04〜1フッ化シリコンガス/水素ガス:0.04〜1の割合で供給するとともに、未反応のフッ化シリコンガスをプラズマCVD反応に循環させる。

請求項（抜粋）：

シリコン同位体比を変化させたフッ化シリコンを原料ガスとしてプラズマCVDにより28Si、29Si、および30Siのいずれかのシリコン同位体が自然同位体比と異なる組成の同位体シリコン結晶膜を製造する方法であって、プラズマCVD反応には前記フッ化シリコンガスと希ガスおよび水素ガスを、フッ化シリコンガス/希ガス:0.04〜1フッ化シリコンガス/水素ガス:0.04〜1の割合で供給するとともに、未反応のフッ化シリコンガスをプラズマCVD反応に循環させることを特徴とする高純度同位体シリコン結晶膜の製造方法。

IPC (2件)：

C23C 16/24 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C23C 16/24 ,  H01L 21/205

Fターム (21件)：

4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB00 ,  4K030BB03 ,  4K030CA05 ,  4K030DA02 ,  4K030DA06 ,  4K030EA12 ,  4K030FA01 ,  4K030JA06 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AA09 ,  5F045AB02 ,  5F045AC02 ,  5F045AC16 ,  5F045DP04 ,  5F045EG09

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開昭59-064516
  
• 特開昭63-288012
  
• 高速アークプラズマ成膜による保護皮膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-179480   出願人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
• TiN層のCVD方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-147096   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭62-289224
  
• 物質合成方法および物質合成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-263372   出願人：工業技術院長, 株式会社イオン工学研究所