特許
J-GLOBAL ID：200903038013711855

半導体装置の製造方法

発明者：
佐竹 光成

佐竹 光成 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-197685
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016136
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：
【要約】【課題】 絶縁膜の開口部に導電膜を埋め込んだ後、絶縁膜上の導電膜を研磨除去する際におけるオーバー研磨による絶縁膜の研磨量を正確に求める。【解決手段】 基板10上に、酸化膜などの絶縁膜11を1μm堆積し、リソグラフィーおよびドライエッチングにより、下部径が0.3μm、上部径が0.5μmのホール12を形成する。次に、CVD法にてタングステン膜13を例えば400nm堆積する。この後、CMP法にて研磨を行い、ホール12内以外のタングステン膜13を完全に除去し、タングステンプラグ14を形成する。洗浄後、汎用の測長SEMなどを用いて、ホール12表面の直径D’を測定し、その測定値からタングステンプラグ14領域における絶縁膜11の研磨量ΔT’を算出する。
請求項（抜粋）：
基板上に絶縁膜を堆積する工程と、前記絶縁膜に下部より上部の面積が大きい開口部を形成する工程と、前記開口部を埋め込むように前記開口部および絶縁膜上に導電膜を堆積する工程と、全面を研磨することにより前記開口部以外の前記導電膜を除去する工程と、研磨後の前記絶縁膜表面の開口部のサイズを測定し、その測定値から研磨による前記絶縁膜の研磨量を算出する工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/3205
FI (5件)：
H01L 21/28 U ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/66 P ,  H01L 21/90 C ,  H01L 21/88 F
Fターム (52件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104DD08 ,  4M104DD12 ,  4M104DD23 ,  4M104DD43 ,  4M104DD64 ,  4M104DD75 ,  4M104DD99 ,  4M104EE12 ,  4M104HH20 ,  4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106AA11 ,  4M106CA39 ,  4M106DB18 ,  4M106DH01 ,  4M106DH57 ,  4M106DJ38 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN01 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN32 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR08 ,  5F033XX37
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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