特許
J-GLOBAL ID:200903038096533384

静電気放電衝撃に対する保護機能が内蔵された高輝度発光ダイオード

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高村 順
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-147999
公開番号(公開出願番号):特開2006-339640
出願日: 2006年05月29日
公開日(公表日): 2006年12月14日
要約:
【課題】静電気放電衝撃に対する保護機能が内蔵された高輝度発光ダイオードを提供する。【解決手段】静電気放電衝撃に対する保護機能が内蔵された高輝度発光ダイオードは、1対の陽極リード51及び陰極リード52から形成されたリードフレーム50と、前記リードフレームの一部が内側に収容されるように合成樹脂材で形成されたパッケージ10と、前記パッケージ内部のリードフレーム上面に実装されたLEDチップ30と、前記パッケージ内部のリードフレーム下面に実装されており、ワイヤ60を介して前記LEDチップと並列連結されている静電気放電衝撃保護素子40と、前記パッケージ内部に充填され、LEDチップを保護するモールディング材20を備える【選択図】 図4
請求項(抜粋):
1対の陽極リード及び陰極リードからなるリードフレームと、 前記リードフレームの一部が内側に収容されるように合成樹脂材からなるパッケージと、 前記パッケージ内部のリードフレームの上面に実装されたLEDチップと、 前記パッケージ内部のリードフレームの下面に実装されており、ワイヤを介して前記LEDチップと並列接続されている静電気放電衝撃保護素子と、 前記パッケージ内部に充填され、LEDチップを保護するモールディング材 を備える、静電気放電衝撃に対する保護機能が内蔵された高輝度発光ダイオード。
IPC (1件):
H01L 33/00
FI (1件):
H01L33/00 N
Fターム (10件):
5F041AA04 ,  5F041AA23 ,  5F041DA02 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA17 ,  5F041DA41 ,  5F041DA72 ,  5F041DA83 ,  5F041DB09
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 光半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-194222   出願人:三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
  • 光半導体装置及びその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-298737   出願人:浜松ホトニクス株式会社
  • 静電対策表面実装型LED
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-202499   出願人:スタンレー電気株式会社
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