特許
J-GLOBAL ID：200903052163770143

窒化物系III-V族化合物半導体装置

発明者：
寺口 信明

寺口 信明 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-372600
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196067
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 組成分布の均一なInGaN混晶を備え、チャネル電子移動度の大きな窒化物系III-V族化合物半導体装置を提供する。【解決手段】 この窒化物系III-V族化合物半導体装置は、InGaNチャネル層15をGaN/InN多層膜14の上に形成したから、組成分布が均一なInGaNチャネル層15を形成できる。その結果、従来よりも大きな電子移動度を有するHFETを実現できる。
請求項（抜粋）：
InGaNからなるInGaNチャネル層が、GaNおよびInNで構成されたGaN/InN多層膜の上に形成されていることを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L 29/80 H ,  H01L 21/205
Fターム (31件)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045HA06 ,  5F045HA07 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GL09 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (3件)

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