特許
J-GLOBAL ID：200903038146731492

荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置

発明者：
鈴木 潤一

鈴木 潤一 について

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江見 恵子

江見 恵子 について

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阿部 隆幸

阿部 隆幸 について

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飯島 智浩

飯島 智浩 について


出願人/特許権者：
株式会社ニューフレアテクノロジー

株式会社ニューフレアテクノロジー について


代理人 (2件)： 松山 允之 ,  池上 徹真
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-191148
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258659
出願日： 2006年07月12日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【目的】より高精度な寸法変動補正を行なうビーム照射量で描画する描画方法、及び装置を提供することを目的とする。【構成】本発明の荷電粒子ビーム描画方法は、近接効果補正照射量計算工程(S504)と、近接効果補正残差補正照射量計算工程(S102)と、近接効果補正照射量等の補正照射量が近接効果補正残差補正照射量で補正された照射量で試料に荷電粒子ビームを照射する照射工程(S516)と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、補正残差を低減させることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する荷電粒子ビーム描画における近接効果を補正する近接効果補正照射量を少なくとも含む前記荷電粒子ビーム描画における補正照射量を計算する補正照射量計算工程と、 前記補正照射量の補正残差を補正する補正残差補正照射量を計算する補正残差補正照射量計算工程と、 前記補正残差補正照射量で補正された前記補正照射量により補正される前記荷電粒子ビームの照射量を計算する照射量計算工程と、 前記照射量になるように前記試料に前記荷電粒子ビームを照射する照射工程と、 を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  H01J 37/305
FI (3件)：
H01L21/30 541M ,  G03F7/20 521 ,  H01J37/305 B
Fターム (9件)：
5C034BB03 ,  5C034BB10 ,  5F056AA04 ,  5F056CA02 ,  5F056CB05 ,  5F056CC12 ,  5F056CC13 ,  5F056CD13 ,  5F056CD15
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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