特許

J-GLOBAL ID：200903038189470676

太陽電池の製造方法

発明者： 舩越 康志
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-155336
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311291
出願日： 2007年06月12日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：

【課題】太陽電池に用いられるシリコン基板を改質し、シリコン基板における少数キャリアのライフタイムを向上することで、太陽電池の高い特性、特に高いJscを得ることができる太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板の少なくとも片面に屈折率が2.4以上3.2以下の窒化シリコン膜を形成する第1工程と、窒化シリコン膜が形成されたシリコン基板をアニール処理する第2工程とを含む太陽電池の製造方法に関する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

シリコン基板の少なくとも片面に屈折率が2.4以上3.2以下の窒化シリコン膜を形成する第1工程と、 前記窒化シリコン膜が形成された前記シリコン基板をアニール処理する第2工程と、を含む太陽電池の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (2件)：

H01L31/04 H ,  H01L31/04 F

Fターム (8件)：

5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051BA14 ,  5F051CB12 ,  5F051CB20 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15 ,  5F051HA03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第4,927,770号明細書
  
• 太陽電池および太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-312140   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (3件)

• 光電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-180029   出願人：トヨタ自動車株式会社
• 太陽電池及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-131797   出願人：信越半導体株式会社, 信越化学工業株式会社, 北陸先端科学技術大学院大学長
• 太陽電池および太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-312140   出願人：シャープ株式会社