特許
J-GLOBAL ID：200903036585620467
太陽電池及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-131797
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335867
出願日： 2003年05月09日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：
【課題】パッシベーション効果に優れ、また、パッシベーション効果の経時劣化を生じにくい絶縁膜を有した太陽電池を提供する。【解決手段】太陽電池100においては、第一主表面に受光面が形成されるとともに、該受光面に照射される光に基づいて光起電力を発生させる半導体太陽電池基板66を備え、該半導体太陽電池基板66の受光面が、カチオン成分の主体が珪素である無機絶縁材料からなる受光面側絶縁膜61にて被覆され、該受光面側絶縁膜61を、水素含有率が10原子%未満の低水素含有無機絶縁膜として構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第一主表面に受光面が形成されるとともに、該受光面に照射される光に基づいて光起電力を発生させる半導体太陽電池基板を備え、該半導体太陽電池基板の前記受光面が、カチオン成分の主体が珪素である無機絶縁材料からなる無機絶縁膜としての受光面側絶縁膜にて被覆され、該受光面側絶縁膜を、水素含有率が10原子%未満の低水素含有無機絶縁膜として構成したことを特徴とする太陽電池。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L31/04 F
, H01L21/318 B
5F051BA18
, 5F051CB12
, 5F051HA03
, 5F058BA20
, 5F058BC08
, 5F058BE03
, 5F058BF02
, 5F058BJ01
審査官引用 (15件)
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特表平2-500397
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太陽電池及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-307253
出願人：シャープ株式会社
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半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-007648
出願人：日本電気株式会社
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引用文献：
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