特許
J-GLOBAL ID:200903073533014863
太陽電池および太陽電池の製造方法
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (6件):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-312140
公開番号(公開出願番号):特開2006-128258
出願日: 2004年10月27日
公開日(公表日): 2006年05月18日
要約:
【課題】 最大電力を向上させた太陽電池とその太陽電池の製造方法とを提供する。【解決手段】 シリコン基板1の受光面上に形成されたパッシベーション膜2と、パッシベーション膜2上に形成された反射防止膜3と、を含み、パッシベーション膜1の屈折率が反射防止膜3の屈折率よりも高い太陽電池とその太陽電池の製造方法である。ここで、パッシベーション膜2および反射防止膜3は共に窒化シリコン膜からなり得る。【選択図】 図6
請求項(抜粋):
シリコン基板の受光面上に形成されたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜上に形成された反射防止膜と、を含み、前記パッシベーション膜の屈折率が前記反射防止膜の屈折率よりも高いことを特徴とする、太陽電池。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (2件):
引用特許:
審査官引用 (7件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-072312
出願人:三菱電機株式会社
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半導体デバイスおよびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-380023
出願人:シャープ株式会社
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光起電力素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-192465
出願人:トヨタ自動車株式会社
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引用文献:
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