特許
J-GLOBAL ID：200903038199019751

半導体装置

発明者：
山口 美穂

山口 美穂 について

, 
山本 裕子

山本 裕子 について


出願人/特許権者：
日東電工株式会社

日東電工株式会社 について


代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-203116
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091476
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】熱サイクルテスト特性および耐クラック性に優れ、かつ反りの発生が抑制され、しかも環境汚染問題に対して問題のない優れた難燃性が付与された信頼性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】下記の(X)成分を含有する封止用樹脂組成物からなる樹脂硬化体で半導体素子が封止された半導体装置であって、上記樹脂硬化体が、熱機械分析測定による線膨張曲線の二次微分ピークを2つ以上有し、これらの二次微分ピークのうち、両端に位置する2つのピーク間隔が20°C以上である。(X)下記の一般式(1)で表される多面体形状の複合化金属水酸化物。【化1】 m(Ma Ob )・n(Qd Oe )・cH2 O ・・・(1)〔上記式(1)において、MとQは互いに異なる金属元素であり、Qは、周期律表のIVa,Va,VIa, VIIa,VIII,Ib,IIbから選ばれた族に属する金属元素である。また、m,n,a,b,c,d,eは正数であって、互いに同一の値であってもよいし、異なる値であってもよい。〕
請求項（抜粋）：
下記の(X)成分を含有する封止用樹脂組成物からなる樹脂硬化体で半導体素子が封止された半導体装置であって、上記樹脂硬化体が、熱機械分析測定による線膨張曲線の二次微分ピークを2つ以上有し、これらの二次微分ピークのうち、両端に位置する2つのピーク間隔が20°C以上であることを特徴とする半導体装置。(X)下記の一般式(1)で表される多面体形状の複合化金属水酸化物。【化1】 m(Ma Ob )・n(Qd Oe )・cH2 O ・・・(1)〔上記式(1)において、MとQは互いに異なる金属元素であり、Qは、周期律表のIVa,Va,VIa, VIIa,VIII,Ib,IIbから選ばれた族に属する金属元素である。また、m,n,a,b,c,d,eは正数であって、互いに同一の値であってもよいし、異なる値であってもよい。〕
IPC (4件)：
H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08K 3/22 ,  C08L101/16
FI (3件)：
H01L 23/30 R ,  C08K 3/22 ,  C08L101/00
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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