容量素子およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-180089
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074467
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】容量素子の上部電極にコンタクトする電極配線を構成するチタン等が容量絶縁膜に侵入して反応することに起因する特性の劣化を防止する。【解決手段】基板1の上に、下部電極2と、容量絶縁膜3と、被覆用絶縁膜5と、被覆用絶縁膜5に形成された第2の開口6(容量値規定用開口)を埋める上部電極7の第1の部分膜7aとが設けられている。下部電極2と容量絶縁膜3と第1の部分膜7aとにより、容量素子が構成されている。上部電極7は、容量絶縁膜5に接触する第1の部分膜7aと、容量絶縁膜7bに接触しない第2の部分膜7bとを有する。チタンからなる下層膜11aとアルミニウム合金膜からなる上層膜11bとにより構成される第2の電極配線11が、上部電極7の第1の部分膜7aとは離れた第2の部分膜7bにコンタクトしているので、第2の電極配線11から侵入するチタン等の容量絶縁膜への拡散を防止できる。

請求項（抜粋）：

基板と、上記基板の上に形成された導体膜からなる下部電極と、上記下部電極の上に形成された容量絶縁膜と、金属材料により構成され、上記容量絶縁膜の上面に接触する第1の部分膜と上記容量絶縁膜に接触しない第2の部分膜とを有する上部電極と、少なくとも上記上部電極を覆う層間絶縁膜と、上記層間絶縁膜を貫通して上記上部電極のうち上記第2の部分膜に達するコンタクト孔と、少なくとも上記コンタクト孔を埋めて上記上部電極に接続される電極配線とを備えている容量素子。

IPC (4件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/04 C , H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-329999 出願人：松下電子工業株式会社
特開平4-241449
特開平4-241449

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