特許
J-GLOBAL ID：200903078833290180
半導体集積回路の設計方法および半導体集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-338337
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126827
出願日： 1997年12月09日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ソース・基板間の逆バイアス電圧の高低でしきい値の異なるMOSFET回路を有するICを実現しようとする時、それぞれのICに適した基体電位固定型の回路セルと基体電位可変型の回路セルとを別々に設計してセルライブラリとして用意して必要をなくし、設計の負担を小さくするとともに、設計した回路セルの遅延時間等の特性抽出、仕様書への記述等の手間を少なくする。【解決手段】 所望の機能を有する回路セルの設計情報を目的別にオブジェクトとして記述し、所定のオブジェクトの情報の削除もしくは追加のみで基体電位固定型セルと基体電位可変型セルのいずれをも構成可能なセル情報として、セルライブラリに登録するようにした。さらに、基体電位固定型セルと基体電位可変型セルに共通なデータシートをユーザーに提供し、ユーザーが目的に合わせて選択できるようにした。
請求項（抜粋）：
所望の機能を有する回路セルの設計情報を目的別にオブジェクトとして構成し、所定のオブジェクトの情報の削除もしくは追加で基体電位固定型セルと基体電位可変型セルのいずれをも構成可能なセル情報の形態で他のセル情報と共に設計資源としてセルライブラリに登録し、該セルライブラリの中から所望の回路セルの情報を選択して半導体集積回路を設計するようにしたことを特徴とする半導体集積回路の設計方法。
IPC (4件)：
H01L 21/82
, G06F 17/50
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 21/82 D
, G06F 15/60 656 Z
, G06F 15/60 658 H
, H01L 21/82 C
, H01L 27/04 A
