特許
J-GLOBAL ID：200903038212868526
エッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-043532
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213372
出願日： 1995年02月07日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 エッチング時の放電持続時間を短くして選択比の高い活性種イオンの存在比を高めて肩部の選択性を向上させる。【構成】 処理室16内にエッチングガスを導入しつつ被処理体Wに対してプラズマエッチング処理を施すエッチング方法において、前記エッチングガスは少なくともC4 F8 とCOとを含む混合ガスよりなり、例えば肩部4Bにおける被エッチング層とこの下地層4との選択比が10以上となるように前記処理室内のエッチングガス滞在時間Tを設定する。これにより、放電持続時間が短くなってエッチングガスの解離の進行が促進され、選択性の高い活性種イオンの存在比を高めることができる。
請求項（抜粋）：
処理室内にエッチングガスを導入しつつ被処理体に対してプラズマエッチング処理を施すエッチング方法において、前記エッチングガスは少なくともC4 F8 とCOとを含む混合ガスよりなり、被エッチング層とこの下地層との選択比が10以上となるように前記処理室内のエッチングガス滞在時間を設定するように構成したことを特徴とするエッチング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, C30B 33/12
, H05H 1/46
