半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-046813
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242423
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】蓄積容量の確保と電荷保持特性の向上を図る。【解決手段】キャパシタ22は、例えば、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜20の溝内に形成される。層間絶縁膜20の溝の側面には、絶縁膜(シリコン窒化膜など)21が形成される。層間絶縁膜20の溝の側面及び底面には、ルテニウムなどからなる蓄積電極23が形成される。蓄積電極23上には、BSTOなどから構成されるキャパシタ絶縁膜24が形成される。キャパシタ絶縁膜24上には、全てのキャパシタに共通に設けられ、ルテニウムなどから構成されるプレ-ト電極25が形成される。隣接する2つのキャパシタ22の電気的な分離は、絶縁膜20,21によって行われる。

請求項（抜粋）：

溝を有する第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜の溝の側面のみに形成される第2絶縁膜と、前記第1絶縁膜の溝の側面及び底面のみに、前記第2絶縁膜を覆うように形成される第1電極と、前記第1電極上に形成される第3絶縁膜と、前記第3絶縁膜上に形成される第2電極とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 621 C , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-191109 出願人：株式会社東芝
特開平4-000755
特開平4-000755

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