特許
J-GLOBAL ID：200903038238409996

接続バンプの形成方法、半導体素子および半導体装置の製造方法

発明者：
清水 浩三

清水 浩三 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-316676
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128493
出願日： 2004年10月29日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】 濡れ拡がりのない均一な電極を狭ピッチで形成する。【解決手段】 所定の箇所に電極13を有する基板11上に、前記電極と対応する箇所に開口を有するマスク24Mを形成する。開口内に、下地金属に対する濡れ広がり性の低い第1の金属膜31を所定の高さまで形成する。開口内に、第1の金属膜に重ねて第2の金属膜を形成する。マスクを残したまま、第1および第2の金属を溶融させる。その後、マスクを除去する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
所定の箇所に電極を有する基板上に、前記電極と対応する箇所に開口を有するマスクを形成するステップと、 前記開口内に、下地金属に対する濡れ広がり性の低い第1の金属膜を所定の高さまで形成するステップと、 前記開口内に、前記第1の金属膜に重ねて第2の金属膜を形成するステップと、 前記マスクを残したまま、前記第1および第2の金属を所定の温度で加熱して、溶融させるステップと、 前記マスクを除去するステップと を含むことを特徴とする接続バンプの形成方法。
IPC (1件)：
H01L 21/60
FI (2件)：
H01L21/92 603B ,  H01L21/92 604B
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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