特許
J-GLOBAL ID：200903038306376244
半導体基板の定量汚染試料の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-337049
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178077
出願日： 1996年12月17日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：
【要約】【課題】半導体製造工程ならびに材料処理プロセスにおいて、低濃度で面内均一な金属不純物、有機不純物の定量汚染試料の作製方法を提供する。【解決手段】金属不純物の性質に合わせて、pHを調整した汚染処理液に半導体基板を浸漬させて、所望の濃度の金属汚染試料を作製する。有機物汚染に関しては、密閉容器内に所望の汚染物とともに半導体基板を保管し、気液または気固平衡により、有機物をベイパー状にして有機物汚染試料を作製する。
請求項（抜粋）：
一定濃度の金属不純物を含むpH=3〜8程度に調整した薬液中に半導体基板を浸漬した後、純水でリンスすることを特徴とする、半導体基板の低濃度定量汚染試料の作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 L
, G01N 1/28 Z
