特許
J-GLOBAL ID：200903038318785743

3色LEDとそれを用いた表示パネル及び表示装置と製法

発明者：
齋木 久雄

齋木 久雄 について

, 
寺嶋 正己

寺嶋 正己 について


出願人/特許権者：
財団法人岐阜県研究開発財団

財団法人岐阜県研究開発財団 について


代理人 (1件)： 草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-283702
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121811
出願日： 1997年10月16日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 3色LEDの原価低減と小型化を図る。【解決手段】 3色LED100は、絶縁基板11上に一組の赤色LED素子18-1,緑色LED素子18-2,青色LED素子18-3が近接して形成される。各色のLED素子は基板11上に形成されたIII族元素の窒化物半導体より成るバッファ層15と、その上のpn接合されたIII族元素の窒化物半導体層16,17を有する。pn接合半導体層は各色によってIII族元素の組織化が異なる。例えば赤色素子のpn接合層はInx・Ga(1-x)・N(x=1.0)とされ、緑色素子ではInx・Ga(1-x)・N(x≒0.4)とされ、青色素子ではInx・Ga(1-x)・N(x≒0.1)とされる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に一面にSi O2 層を形成し、前記絶縁基板上の所定箇所のSi O2 層をエッチング除去して第1ホールを形成し、その第1ホール内に、III族元素の窒化物半導体より成るバッファ層と、n型-Inx1 ・Ga(1-x1 )・N半導体層と、p型-Inx1 ・Ga(1-x1 )・N半導体層(これらの3層を第1素子と呼ぶ。x1 ,x2 及びx3は青色に対応する0.1,緑色に対応する0.4または赤色に対応する1.0のいずれかにほぼ等しくて互いに異なる値をとるものとする)とを順次形成し、前記絶縁基板上の所定箇所のSi O2 層をエッチング除去して第2ホールを形成し、その第2ホール内に前記バッファ層と、n型-In x2 ・Ga (1-x2)・N半導体層と、p型-Inx2 ・Ga(1-x2 )・N半導体層(これらの3層を第2素子と呼ぶ)を順次形成し、前記絶縁基板上の所定箇所のSi O2 層をエッチング除去して第3ホールを形成し、その第3ホール内に前記バッファ層と、n型-Inx3 ・Ga(1-x3)・N半導体層と、p型-Inx3 ・Ga(1-x3 )・N半導体層(これらの3層を第3素子と呼ぶ)を順次形成することを特徴とする3色LEDの製法。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ,  G09F 9/30 365 ,  G09F 9/30 ,  G09F 9/33
FI (5件)：
H01L 33/00 N ,  G09F 9/30 365 B ,  G09F 9/30 365 A ,  G09F 9/30 365 D ,  G09F 9/33 M
引用特許：
審査官引用 (4件)
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