半導体デバイス検査装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：加藤静富 , 入江一郎 , 野末寿一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-214841
公開番号（公開出願番号）：特開2004-053550
出願日： 2002年07月24日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】鮮明な切削断面を生成することができる半導体デバイス検査装置を提供する。【解決手段】半導体デバイス検査装置1は、半導体デバイス(試料S)をセットする真空チャンバー11内に配設されたステージ141と、半導体デバイスを切削するフェムト秒レーザビームFSLBを生成するフェムト秒レーザ装置12と、当該レーザビームにより切削した半導体デバイスの切削面Wを観察する電子顕微鏡(SEM17)とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体デバイスをセットするチャンバー内に配設されたステージと、前記半導体デバイスを切削するレーザビームを生成するフェムト秒レーザ装置と、前記レーザビームにより切削した前記半導体デバイスの切削面を観察する電子顕微鏡とを備えたことを特徴とする半導体デバイス検査装置。

IPC (3件)：

G01N23/225 , G01N23/04 , H01J37/28

FI (3件)：

G01N23/225 , G01N23/04 , H01J37/28 B

Fターム (11件)：

2G001AA03 , 2G001BA07 , 2G001BA11 , 2G001CA03 , 2G001HA13 , 2G001KA03 , 2G001LA11 , 2G001MA05 , 2G001PA11 , 5C033SS02 , 5C033UU03

引用特許：

審査官引用 (5件)

試料作成方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-132241 出願人：株式会社日立製作所
特開昭62-071158
複数線源観察装置および加工装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-126653 出願人：サンユー電子株式会社, 畑村洋太郎

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