特許

J-GLOBAL ID：200903038347224980

半導体装置及びその製造方法

発明者： 金田 博幸
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-049870
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260003
出願日： 2003年02月26日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

【課題】コンタクト抵抗の低減を図り、電気性能の低下を防止する半導体装置及びその製造方法を実現することができるようにする。【解決手段】半導体基板1上にゲート酸化膜3を介して形成されたゲート電極4と、ゲート電極4の両側の半導体基板1の表面に形成され、上部にシリサイド層8を備える一対の不純物拡散層6とを有し、この不純物拡散層6がシリサイド層8との界面の全体に渡って凹凸面を備え、当該凹凸面の表層が均一の不純物濃度となるようにして、コンタクト抵抗を低減できるようにする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極の両側の前記半導体基板の表面に形成された一対の不純物拡散層と、 前記一対の不純物拡散層上に形成されたシリサイド層とを有し、 前記不純物拡散層は、前記シリサイド層との界面の全体に渡って凹凸面を備え、当該凹凸面の表層が均一の不純物濃度で形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

FI (6件)：

H01L29/78 301P ,  H01L21/28 301D ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 301S

Fターム (60件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD23 ,  4M104DD24 ,  4M104DD84 ,  4M104DD91 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15 ,  5F140AA10 ,  5F140AA39 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF42 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG20 ,  5F140BG26 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG32 ,  5F140BG34 ,  5F140BG37 ,  5F140BG38 ,  5F140BG39 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG54 ,  5F140BG58 ,  5F140BH05 ,  5F140BH06 ,  5F140BH14 ,  5F140BH35 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ25 ,  5F140BK02 ,  5F140BK03 ,  5F140BK08 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140BK18 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CF00 ,  5F140CF04 ,  5F140CF07 ,  5F140DB03 ,  5F140DB05

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置およびシリサイド層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-120412   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平4-233237
  
• セルフ・アライン・ケイ化物の改良された製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-150474   出願人：ユナイテッド・マイクロエレクトロニクス・コーポレイション
• 半導体装置および半導体装置を製造する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-186957   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-202112   出願人：ソニー株式会社