ウエハ加熱装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-331422
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141288
出願日： 2000年10月30日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】ウエハと均熱板の間の間隔が一定でないと、ウエハを載せ替えた際の昇温過渡時に、前記間隔が小さい部分は均熱板の昇温の影響を大きく受けて速やかに温度が高めになり、逆に前記部分が大きい部分はウエハWの温度が遅れ気味に上昇するので、両者の間で温度差が大きくなるという問題があった。そして、この温度差は、成膜バラツキや、レジスト膜の反応状態を不均一にしてしまうという問題を引き起こしていた。【解決手段】載置面に該載置面からの突出高さが0.05〜0.5mmとなる複数の支持ピンを備え、該支持ピンは載置面の中心部1点と、ウエハ径×0.6以上の略同心円上に少なくとも3点配列され、略同心円上の支持ピンの突出高さのバラツキは15μm以下であり、かつ前記中心部の支持ピンの突出高さは略同心円上の支持ピンの突出高さより低くしたウエハ加熱装置とする。

請求項（抜粋）：

セラミックスからなる均熱板の一方の主面をウエハの載置面とし、他方の主面もしくは内部に発熱抵抗体を有するとともに、該発熱抵抗体と電気的に接続される給電部を前記他方の主面に具備してなるウエハ加熱装置において、前記載置面に該載置面からの突出高さが0.05〜0.5mmとなる複数の支持ピンを備え、該支持ピンは載置面の中心部1点と、ウエハ径×0.6以上の直径を持つ略同心円上に少なくとも3点配列され、略同心円上の支持ピンの突出高さのバラツキは15μm以下であり、かつ前記中心部の支持ピンの突出高さは略同心円上の支持ピンの突出高さより低いことを特徴とするウエハ加熱装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , H01L 21/027 , H01L 21/3065 , H05B 3/20 393

FI (4件)：

H01L 21/205 , H05B 3/20 393 , H01L 21/30 567 , H01L 21/302 B

Fターム (23件)：

3K034AA02 , 3K034AA04 , 3K034AA16 , 3K034AA19 , 3K034AA21 , 3K034AA22 , 3K034AA34 , 3K034AA37 , 3K034BB06 , 3K034BB14 , 3K034BC04 , 3K034BC12 , 3K034FA11 , 3K034GA07 , 3K034HA01 , 3K034HA10 , 3K034JA10 , 5F004AA01 , 5F004BB26 , 5F045BB02 , 5F045DP02 , 5F045EK09 , 5F046KA04

引用特許：

出願人引用 (5件)

温度調整装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-292835 出願人：東京エレクトロン株式会社
基板加熱装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-206950 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
ホットプレート型のプロキシミティベーク炉に使用するピン及びそれを使用した炉
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-338058 出願人：シャープ株式会社, デュポンアジアパシフィックリミテッド

全件表示

前のページに戻る